導(dǎo)讀:2nm工藝目前還在研發(fā)階段,進展順利,2nm晶圓廠明年在新竹動工開建。
盡管2021年將完全損失以往的第二大客戶華為,但是全球半導(dǎo)體缺貨使得臺積電業(yè)績不降反增,今年預(yù)計至少砸下300億美元擴充芯片產(chǎn)能。
臺積電此前公布的2021年度資本開支是250-280億美元,這已經(jīng)是大幅增加后的結(jié)果了,畢竟2020年資本開支才170億美元,最初預(yù)計今年也就是200億美元。
現(xiàn)在臺積電有可能在說法會上宣布增加投資,全年預(yù)計投資300-310億美元,折合人民幣至少2000億,相比此前的計劃增加了10-20%。
此前臺積電宣布在3年內(nèi)投資1000億美元擴張半導(dǎo)體產(chǎn)能,這次調(diào)整就是新計劃中的第一步。
300多億資金中,其中大部分都是用于先進工藝產(chǎn)能,除了已經(jīng)量產(chǎn)的7nm、5nm工藝之外,3nm工藝、2nm工藝也會加快,其中3nm工廠明年上半年裝機,下半年量產(chǎn)。
2nm工藝目前還在研發(fā)階段,進展順利,2nm晶圓廠明年在新竹動工開建。
針對目前更為緊缺的成熟工藝,臺積電預(yù)計投資至少100億美元擴產(chǎn),主要提升28nm以及40nm以上等成熟工藝。