2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張，已經(jīng)持續(xù)了半年多時(shí)間了，中芯國(guó)際是全球第五大晶圓廠，產(chǎn)能也幾乎滿載了。

日前該公司在互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前集成電路芯片制造供不應(yīng)求。

　　公司2021年一季度整體產(chǎn)能利用率達(dá)到98.7%。

中芯國(guó)際提到，根據(jù)公司今年的資本支出計(jì)劃，擬擴(kuò)建1萬(wàn)片12英寸和4.5萬(wàn)片8英寸晶圓的產(chǎn)能，以滿足更多的客戶需求。

此前中芯國(guó)際發(fā)布了Q1財(cái)報(bào)，今年一季度，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入72.92億元，同比增長(zhǎng)13.92%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)10.32億元，同比增長(zhǎng)136.39%。

中芯國(guó)際資本開支計(jì)劃仍然是43億美元，其中大部分用于成熟工藝的擴(kuò)展、小部分用于先進(jìn)工藝、北京京城項(xiàng)目土建及其他項(xiàng)目。

全年折舊預(yù)計(jì)為20億美元，全年息稅折舊及攤銷前利潤(rùn)預(yù)計(jì)超過(guò)23億美元。

FinFET先進(jìn)工藝方面，中芯國(guó)際第一代FinFET工藝已經(jīng)進(jìn)入成熟量產(chǎn)階段，產(chǎn)品良率達(dá)到業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，多個(gè)衍生平臺(tái)開發(fā)按計(jì)劃進(jìn)行，穩(wěn)步導(dǎo)入NTO，正在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的多樣化目標(biāo)。

　　第二代FinFET的技術(shù)相對(duì)于前代技術(shù)，單位面積晶體管密度大幅提高，已經(jīng)完成低電壓工藝開發(fā)，進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。