本月22日，韓國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會成立30年紀(jì)念活動在首爾舉辦。

與會期間，SK海力士CEO Seok-hee Lee（李錫熙）和媒體交流時談到了無錫海力士半導(dǎo)體工廠相關(guān)情況。

關(guān)于EUV光刻機進廠可能延期的問題，李錫熙表示，正與美方合作，進展良好。EUV光刻技術(shù)已經(jīng)在韓國本土的DRAM產(chǎn)線上應(yīng)用，中國工廠還有充足的時間供斡旋溝通。

據(jù)悉，SK海力士將基于EUV光刻機制造10nm DRAM芯片，也就是第四代內(nèi)存。無錫工廠同樣計劃應(yīng)用相關(guān)技術(shù)，目前正尋求多種途徑克服困難，畢竟它是一家韓國企業(yè)。

資料顯示，無錫海力士工廠的DRAM產(chǎn)能大約占SK海力士全球產(chǎn)能的15%。