日前有公眾號發(fā)布了《8000萬顆GaN項目出爐！中芯張汝京加入》一文，其中提到中芯國際創(chuàng)始人張汝京博士進入了這個第三代半導體項目，不過已經被張博士辟謠，否認參與該項目。

報道中提到，12月1日，宏光半導體發(fā)布公告稱，他們完成了一項配售協議，獲得了大約8620萬港元（約7000萬人民幣），其中，預計將約6430萬港元用于加強快充、GaN設備及相關半導體產品的研發(fā)能力。

公告還提到，宏光半導體已經著手在徐州經開區(qū)新建一家GaN新工廠，并在工廠內安裝一條用作生產GaN等相關產品生產線，不久將進一步升級至全自動芯片運作，計劃年封測氮化鎵電子器件8000萬顆。

據公告，宏光半導體引入了超強氮化鎵團隊，核心成員包括陳振博士、呂瑞霖先生、張汝京博士以及Thomas Hu博士。

在這個名單中，張汝京博士是中芯國際創(chuàng)始人，在業(yè)界影響力巨大，因此宏光的新項目引發(fā)關注，但張汝京博士對媒體表示該消息不屬實，他本人并未參與該項目，也從未去過該工廠。