據“中國光谷”微信公眾號消息，近期，華工科技制造出我國首臺核心部件 100% 國產化的高端晶圓激光切割設備，在半導體激光設備領域攻克多項中國第一。

據華工激光半導體產品總監(jiān)黃偉介紹，晶圓機械切割的熱影響和崩邊寬度約 20 微米，傳統(tǒng)激光在 10 微米左右，而經過一年努力，華工科技的半導體晶圓切割技術成功實現升級，熱影響降為 0，崩邊尺寸降至 5 微米以內，切割線寬可做到 10 微米以內。

晶圓切割和芯片分離無論采取機械或激光方式，都會因物質接觸和高速運動而產生熱影響和崩邊，從而影響芯片性能。

據透露，華工激光正在研發(fā)第三代半導體晶圓激光改質切割設備，計劃今年 7 月推出新產品，同時也正在開發(fā)我國自主知識產權的第三代半導體晶圓激光退火設備。

華工科技官網顯示，華工科技產業(yè)股份有限公司脫胎于中國知名學府 —— 華中科技大學，是“中國激光第一股”，目前涵蓋以激光加工技術為重要支撐的智能制造裝備業(yè)務、以信息通信技術為重要支撐的光聯(lián)接、無線聯(lián)接業(yè)務，以敏感電子技術為重要支撐的傳感器業(yè)務格局，產業(yè)基地近 2000 畝。