技術(shù)
導(dǎo)讀:近日,國(guó)內(nèi)IDM龍頭士蘭微(600460)發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告,公司預(yù)計(jì)2024年度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為1.5億元到1.9億元,與上年同期相比,將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈
近日,國(guó)內(nèi)IDM龍頭士蘭微(600460)發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告,公司預(yù)計(jì)2024年度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為1.5億元到1.9億元,與上年同期相比,將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈;預(yù)計(jì)扣非凈利潤(rùn)為1.84億元到2.24億元,與上年同期相比,將增加1.25億元到1.65億元,同比增加212.39%到280.31%。
營(yíng)收“含金量”提升
高門檻市場(chǎng)銷售占比超75%
公開(kāi)資料顯示,士蘭微(股票代碼:600460)是一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體化(IDM)企業(yè),主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋集成電路、功率器件、光電器件和第三代化合物半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)與制造。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于大型白電、通訊、工業(yè)、新能源和汽車等高門檻市場(chǎng)。其主要產(chǎn)品包括IPM模塊、MCU、MEMS傳感器、驅(qū)動(dòng)模塊、電源芯片、PoE芯片、IGBT單管及模塊、MOSFET、FRD、SBD、TVS、LED芯片、LED彩屏像素管以及SiC MOSFET芯片等,其中SiC MOSFET芯片主要用于電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。
作為國(guó)內(nèi)最大的IDM半導(dǎo)體企業(yè)之一,士蘭微具備從芯片設(shè)計(jì)到制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈,已掌握IGBT、MEMS傳感器、SiC芯片等核心技術(shù),其IGBT設(shè)計(jì)技術(shù)水平在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。公司擁有5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線。
在業(yè)績(jī)方面,2024年士蘭微預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.5億元至1.9億元,同比扭虧為盈;扣非凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)為1.84億元至2.24億元,同比增長(zhǎng)212.39%至280.31%。公司營(yíng)收“含金量”進(jìn)一步提升,特別是在新能源、汽車、高端通信等高門檻市場(chǎng),銷售收入占比超過(guò)75%。
市場(chǎng)表現(xiàn)方面,士蘭微持續(xù)加大在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的推廣力度,相關(guān)產(chǎn)品出貨量增長(zhǎng)顯著。公司正加快多個(gè)芯片生產(chǎn)線的產(chǎn)能建設(shè),包括SiC芯片生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)初步通線。
12英寸線產(chǎn)能能支撐市場(chǎng)需求嗎?
士蘭微的12英寸線產(chǎn)能在當(dāng)前市場(chǎng)需求下表現(xiàn)出較強(qiáng)的支撐能力,但也面臨一定的挑戰(zhàn)。截至2024年上半年,士蘭集科12英寸線已實(shí)現(xiàn)滿負(fù)荷生產(chǎn),單月產(chǎn)出達(dá)到3.7萬(wàn)片。公司計(jì)劃通過(guò)技改資金進(jìn)一步提升12英寸線IGBT芯片和模擬電路芯片的產(chǎn)能。未來(lái),士蘭微還計(jì)劃在廈門建設(shè)一條以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線,項(xiàng)目一期投資規(guī)模70億元,規(guī)劃產(chǎn)能3.5萬(wàn)片/月,預(yù)計(jì)2025年年底實(shí)現(xiàn)初步通線。此外,公司還計(jì)劃通過(guò)杭州士蘭集昕投資39億元建設(shè)月產(chǎn)3萬(wàn)片的12英寸晶圓產(chǎn)線,預(yù)計(jì)2025年新增3萬(wàn)片/月的12英寸產(chǎn)能。
在市場(chǎng)需求方面,受全球碳中和影響,IGBT市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)上升,特別是車規(guī)IGBT和光伏&儲(chǔ)能領(lǐng)域需求旺盛。預(yù)計(jì)2025年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)991億元,中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)497億元。新能源汽車市場(chǎng)是IGBT的最大增量市場(chǎng),預(yù)計(jì)2025年全球及中國(guó)新能源汽車IGBT市場(chǎng)規(guī)模分別達(dá)332億元和159億元。同時(shí),隨著電動(dòng)汽車、新能源和通信行業(yè)的快速發(fā)展,SiC芯片需求也在增長(zhǎng)。士蘭微的SiC芯片產(chǎn)能規(guī)劃在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位,預(yù)計(jì)滿產(chǎn)情況下可滿足40-50萬(wàn)輛車的需求。
從短期來(lái)看,士蘭微的12英寸線產(chǎn)能已接近滿負(fù)荷運(yùn)行,能夠較好地滿足當(dāng)前市場(chǎng)需求。特別是在IGBT和SiC芯片領(lǐng)域,公司通過(guò)技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)充,不斷提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
然而,從長(zhǎng)期來(lái)看,隨著新能源汽車、光伏&儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,對(duì)高端功率半導(dǎo)體的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。士蘭微的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃將有助于其在未來(lái)幾年內(nèi)保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,但同時(shí)也需要關(guān)注產(chǎn)能爬坡進(jìn)度和市場(chǎng)需求的匹配情況。
盡管士蘭微的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃有助于滿足未來(lái)市場(chǎng)需求,但也面臨一些風(fēng)險(xiǎn)和挑戰(zhàn)。新建產(chǎn)能的爬坡速度和良率提升是關(guān)鍵。如果產(chǎn)能爬坡不及預(yù)期,可能會(huì)影響市場(chǎng)供應(yīng)。此外,盡管長(zhǎng)期趨勢(shì)向好,但短期內(nèi)市場(chǎng)需求可能受到宏觀經(jīng)濟(jì)、行業(yè)周期等因素的影響。如果下游需求不及預(yù)期,可能導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩。