Ramtron International Corporation日前宣布，在硅谷嵌入式系統(tǒng)大會(huì)（Embedded Systems Conference）上展示MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器。該會(huì)議暨展覽會(huì)在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞的McEnery會(huì)議中心（McEnery Convention Center）舉辦。
 
　　在展會(huì)期間，Ramtron公司演示了其MaxArias產(chǎn)品系列的創(chuàng)新無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器技術(shù)。Ramtron的MaxArias系列無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器將行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Gen2 RFID無(wú)線(xiàn)存取功能與其非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合，可讓亞洲乃至全世界的工程師使用高性能RF轉(zhuǎn)發(fā)器（transponder）集成電路來(lái)發(fā)送、捕獲和存儲(chǔ)更多信息，從而擴(kuò)大其系統(tǒng)的通信范圍和存儲(chǔ)器容量。

　　Ramtron公司的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器非常適合高價(jià)值資產(chǎn)追蹤、藥物追蹤、制造和維護(hù)記錄收集以及智能電表抄表等應(yīng)用。

　　產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)

　　MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器系列首批產(chǎn)品WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為 256/512/1024 x 16位，這些器件具有幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數(shù)(寫(xiě)入次數(shù)大約為1014次)，以及20年的數(shù)據(jù)保存期。就工作范圍、持續(xù)的存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)帶寬及可靠性而言，MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器具有完全對(duì)稱(chēng)的讀/寫(xiě)距離，達(dá)到Gen-2標(biāo)準(zhǔn)的最大數(shù)據(jù)速率。

　　Ramtron的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器具有超越傳統(tǒng)基于 EEPROM的RF ID產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，包括：

　　更高的射頻靈敏度：WM710xx能實(shí)現(xiàn)零功耗寫(xiě)入運(yùn)作，因而在執(zhí)行寫(xiě)入時(shí)不會(huì)影響功率或速度。

　　更大的工作范圍：使用低功耗F-RAM的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器具有10米或更大范圍的對(duì)稱(chēng)無(wú)線(xiàn)讀/寫(xiě)功能

　　出色的寫(xiě)入速度：MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器的速度較EEPROM快六倍，能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的寫(xiě)入運(yùn)作，更快地存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，免除基于EEPROM 的器件的“預(yù)備時(shí)間”(soak time)限制

　　區(qū)塊寫(xiě)入完整性：Ramtron的SureWrite特性可確保數(shù)據(jù)完整性，防止在全區(qū)塊寫(xiě)入期間出現(xiàn)數(shù)據(jù)損壞

　　磁場(chǎng)和伽瑪輻射耐受能力：由于F-RAM器件完全不受磁場(chǎng)的影響，并具有高伽瑪輻射耐受能力，MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器是需暴露于磁場(chǎng)或輻射干擾之應(yīng)用的理想選擇。

　　WM710xx MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器能在整個(gè)工業(yè)溫度范圍運(yùn)作(-40°C 至+85°C)，并備有幾種配置，包括標(biāo)準(zhǔn)RoHS兼容6腳UDFN封裝、凸塊硅片、裸片，或經(jīng)全面測(cè)試的符合ISO-18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的電子標(biāo)簽。